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发明名称 METHOD OF FABRICATING MOS TRANSISTOR HAVING SELFFALIGNING CONSTRUCTION
摘要
申请公布号 JPS55102273(A) 申请公布日期 1980.08.05
申请号 JP19790009804 申请日期 1979.01.30
申请人 SANYO ELECTRIC CO 发明人 YOSHIOKA ATSUSHI
分类号 H01L21/8234;H01L21/283;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L21/8234
代理机构 代理人
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