发明名称 |
METHOD OF FABRICATING MOS TRANSISTOR |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS5595367(A) |
申请公布日期 |
1980.07.19 |
申请号 |
JP19790156285 |
申请日期 |
1979.11.30 |
申请人 |
FAIRCHILD CAMERA INSTR CO |
发明人 |
ROBAATO POERU SHIIZU;ROBAATO RII RUUSU |
分类号 |
H01L29/78;H01L;H01L21/00;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/76;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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