发明名称 METHOD OF FABRICATING MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS5595367(A) 申请公布日期 1980.07.19
申请号 JP19790156285 申请日期 1979.11.30
申请人 FAIRCHILD CAMERA INSTR CO 发明人 ROBAATO POERU SHIIZU;ROBAATO RII RUUSU
分类号 H01L29/78;H01L;H01L21/00;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/76;H01L29/06 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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