| 摘要 |
Procede de fabrication d'un dispositif laser semi-conducteur utilise dans plusieurs genres de systemes de communication. En cours de fabrication des dispositifs laser semi-conducteurs ayant une construction dans laquelle un dispositif de dissipation de chaleur (23) en diamant ou autre est place sur une tige de radiation de chaleur (21) qui fait partie d'une enceinte scellee pour un element laser semi-conducteur (21), l'element laser semi-conducteur (21) etant dispose sur le dispositif de dissipation de chaleur (23), la methode de fabrication du dispositif laser comprend les etapes suivantes: appliquer une couche d'un alliage en d'or (36) sur la surface du dispositif de dissipation de chaleur (23), placer l'element laser semi-conducteur (24) sur la couche d'alliage d'or (36) a une temperature inferieure au point eutectique, chauffer tout le dispositif a une temperature superieure au point eutectique, et le refroidir fixant ainsi l'element laser semi-conducteur (24) sur le dispositif de dissipation de chaleur (23). Les dispositifs laser semi-conducteurs fabriques par ce procede possedent une longevite accrue. |
