发明名称 |
FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATING OXIDE REGION |
摘要 |
|
申请公布号 |
JPS5570043(A) |
申请公布日期 |
1980.05.27 |
申请号 |
JP19790135180 |
申请日期 |
1979.10.22 |
申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
HAYASAKA AKIO;NODA HIDEO;SUZUKI MICHIO;KONDOU HIROYUKI |
分类号 |
H01L21/76;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/331;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/76 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|