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SUR UNE PARTIE D'UNE SURFACE D'UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN EST FORMEE UNE COUCHE DE MASQUAGE, APRES QUOI LE CORPS SEMI-CONDUCTEUR EST SOUMIS DU COTE DE LADITE SURFACE, A UN TRAITEMENT EPITAXIAL A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE DE FACON A DEPOSER UNE COUCHE EPITAXIALE, DONT UNE PARTIE SITUEE SUR LA PARTIE DECOUVERTE DE LA SURFACE EST MONOCRISTALLINE ET UNE PARTIE, QUI SE SITUE SUR LA COUCHE DE MASQUAGE, EST POLYCRISTALLINE. AVANT LE TRAITEMENT EPITAXIAL, UNE COUCHE AMORPHE OU POLYCRISTALLINE EST DEPOSEE, A UNE TEMPERATURE INFERIEURE A CELLE A LAQUELLE SE DEPOSE LA COUCHE EPITAXIALE, SUR LA COUCHE DE MASQUAGE AUSSI BIEN QUE SUR LA PARTIE DECOUVERTE DE LA SURFACE, COUCHE AMORPHE OU POLYCRISTALLINE, DONT LA PARTIE SITUEE SUR LA PARTIE DECOUVERTE DE LA SURFACE PASSE A L'ETAT MONOCRISTALLIN PAR UN TRAITEMENT THERMIQUE PRECEDANT LE DEPOT DE LA COUCHE EPITAXIALE.APPLICATION : REALISATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS.
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