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<P>ASSEMBLAGE TRANSDUCTEUR DE PRESSION SEMI-CONDUCTEUR CARACTERISE EN CE QU'IL COMPORTE UN ASSEMBLAGE 10 DE DIAPHRAGME EN SILICIUM D'UN SUBSTRAT A CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM, A LA PARTIE INFERIEURE DUQUEL EST FORMEE, PAR ATTAQUE A L'ACIDE, UNE GORGE 60 DESTINEE A DELIMITER UNE PARTIE MINCE 10A SENSIBLE A LA PRESSION ET TOUT AUTOUR UNE PARTIE EPAISSE DE SUPPORT 10B. DES JAUGES DE CONTRAINTE PIEZORESISTANTES 20 SONT DIFFUSEES SUR UNE SURFACE SUPERIEURE DE L'ASSEMBLAGE DE DIAPHRAGME EN SILICIUM ET LEURS VALEURS DE RESISTANCE VARIENT EN FONCTION DES DEFORMATIONS QUI S'EXERCENT SUR LA PARTIE MINCE 10A SENSIBLE A LA PRESSION, EN REPONSE A LA PRESSION APPLIQUEE. L'ASSEMBLAGE DE DIAPHRAGME EN SILICIUM COMPREND UNE COUCHE DE PASSIVATION 40 EN DIOXYDE DE SILICIUM FORMEE SUR LA SURFACE SUPERIEURE POUR PROTEGER LES ELEMENTS PIEZORESISTANTS 20 ETC., ET UNE COUCHE EN DIOXYDE DE SILICIUM 70 FORMEE SUR UNE SURFACE INTERIEURE DE LA GORGE POUR ELIMINER LES TENSIONS PROVOQUEES SUR LA PARTIE MINCE 10A SENSIBLE A LA PRESSION A CAUSE DE LA DIFFERENCE DE DILATATION THERMIQUE ENTRE L'ASSEMBLAGE DE DIAPHRAGME EN SILICIUM ET LA COUCHE DE PASSIVATION.</P>
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