| 摘要 |
<P>LE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS SELON L'INVENTION COMPREND PLUSIEURS ELEMENTS U-MOS COMPRENANT CHACUN UN EVIDEMENT ETROIT DE FORME ALLONGEE ET A SECTION DROITE EN U, OBTENU A L'AIDE D'UN AGENT CORROSIF ANISOTROPIQUE DANS UN SUBSTRAT 74 EN SILICIUM AYANT UNE SURFACE DANS LE PLAN 110 DU CRISTAL ET DEUX PLANS 111 PERPENDICULAIRES A LA SURFACE. LES REGIONS DE DRAIN 86 POUR CHAQUE ELEMENT SONT FORMEES DANS LA SURFACE D'UNE COUCHE EPITAXIALE 76 S'ETENDANT SUR LE SUBSTRAT QUI A LA MEME CONDUCTIVITE QUE LA REGION DE DRAIN ET CONSTITUE UNE SOURCE COMMUNE POUR TOUS LES ELEMENTS U-MOS. ENTRE LA COUCHE EPITAXIALE ET LE SUBSTRAT 74, SE TROUVE UNE COUCHE INTERMEDIAIRE MODEREMENT DOPEE, D'UN TYPE DE CONDUCTIVITE OPPOSE ET CONSTITUANT LE CANAL DU DISPOSITIF ENTRE LES REGIONS DE DRAIN ET DE SOURCE. LES ELEMENTS U-MOS ONT UNE CAPACITE DE TRANSPORT DE COURANT MEILLEURE AINSI QU'UNE VITESSE ACCRUE SUR LES DISPOSITIFS ANTERIEURS, DE MEME QU'ILS ASSURENT UNE PLUS GRANDE DENSITE D'ELEMENTS PAR UNITE DE SUPERFICIE.</P>
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