发明名称 FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS UTILIZING THICK HIGH-RESOLUTION PATTERNS
摘要 Dans la sequence de fabrication d'un circuit integre, une couche sacrificatoire relativement epaisse est deposee sur une surface non-plane d'une tranche de dispositif dans lequel des structures a haute resolution doivent y etre definies. La couche epaisse a une surface inferieure de conformation et une surface superieure essentiellement plane et l'aptitude a etre modelee de facon haute resolution. Une couche intermediaire de masquage (22) et puis une couche mince de reserve (20) sont deposees sur la surface superieure de la couche sacrificatoire, l'epaisseur de la couche de reserve etant insuffisante en soi pour fournir une couverture a degre adequate si cette couche de reserve etait appliquee directement sur la surface non plane. Un modele a haute resolution defini dans la couche de reserve est transferee dans la couche de masquage intermediaire. Ulterieurement, une technique de processus a sec est utilisee pour la reproduction du modele dans la couche sacrificatoire. Un modele a haute resolution avec des parois laterales presque verticales est ainsi produit dans la couche sacrificatoire. Au moyen de cette couche sacrificatoire ainsi modelee des structures a haute resolution sont alors definies dans la surface sous-jacente non-plane.
申请公布号 WO8000639(A1) 申请公布日期 1980.04.03
申请号 WO1979US00702 申请日期 1979.09.07
申请人 WESTERN ELECTRIC CO INC 发明人 FRASER D;MAYDAN D;MORAN J
分类号 H01L21/302;G03F7/09;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/312;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/3205;(IPC1-7):01L21/312;01L21/316;01L21/318 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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