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经营范围
发明名称
FORMATION FOR BURIED LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
JPS5538082(A)
申请公布日期
1980.03.17
申请号
JP19780112065
申请日期
1978.09.11
申请人
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人
HASHIZUME TSUNEO
分类号
H01L21/74;H01L21/225;H01L21/331;H01L29/72;H01L29/73
主分类号
H01L21/74
代理机构
代理人
主权项
地址
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