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<P>L'invention concerne les mémoires. </P><P>Un réseau de mémoire 8, constitué par des cellules de mémoire 9, est associé à des circuits de pré-charge 201 , 20128 , qui sont connectés aux lignes de bits respectives B1... B128 du réseau. Avant chaque opération de lecture ou d'écriture, ces circuits de pré-charge pré-chargent la ligne de bit associée à un potentiel qui correspond approxilativement au point de basculement de la bascule qui constitue l'élément de mémoire de chaque cellule. </P><P>Application aux mémoires à semi-conducteurs.</P>
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