发明名称 DISPOSITIF ACOUSTIQUE A MEMOIRE, POUR LA CORRELATION NOTAMMENT, DE DEUX SIGNAUX HAUTE FREQUENCE, PROCEDE DE REALISATION DU RESEAU DE DIODES UTILISE DANS UN TEL DISPOSITIF ET CORRELATEUR ACOUSTIQUE A MEMOIRE COMPORTANT UN TEL DISPOSITIF
摘要 <P>La présente addition a pour objet des perfectionnements au dispositif acoustique à mémoire, objet du brevet principal, concernant la structure des diodes utilisées et leur procédé de réalisation. </P><P>La face du substrat, de haute résistivité et non épitaxié, portant la jonction 3 réalisée par la méthode planar, est traitée par une attaque mésa de manière à être plus petite que la face opposée 7. Une couronne isolante 4 recouvre la périphérie de la jonction et déborde sur le substrat. Cette couronne a des dimensions extérieures inférieurs à celles de la face 7 sur laquelle elle déborde. Une couche métallique 6 assurant un contact ohmique recouvre notamment les parois latérales de la diode créées par l'attaque mésa, excepté les zones de ces parois surplombées par la couronne isolante 4. Cette métallisation des parois latérales sert d'électrode et relie entre elles les diodes réalisées sur un seul et même substrat. </P><P>Application aux corrélateurs acoustiques à mémoire.</P>
申请公布号 FR2430063(A2) 申请公布日期 1980.01.25
申请号 FR19780019504 申请日期 1978.06.29
申请人 THOMSON CSF 发明人 ALAIN BERT, BERNARD LE CLERC ET YVES ARCHAMBAULT;CLERC BERNARD LE;ARCHAMBAULT YVES
分类号 G11C13/00;G06G7/195;G11C27/02;H01L41/08;H03H9/70;(IPC1-7):G11C11/36;H03H9/00 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
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