| 发明名称 |
Power transistor and its manufacturing process. |
| 摘要 |
<p>Transistor de puissance comportant sur une couche d'isolant (3), une couche (7) d'un matériau semiconducteur comprenant plusieurs zones dopées N+, N et N+. La zone dopée N correspond à la zone de grille. Les zones N+ correspondent aux zones de drain et de source. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel transistor. APPLICATION : Réalisation d'un transistor à effet de champ à dissipation thermique améliorée. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0472452(A1) |
申请公布日期 |
1992.02.26 |
| 申请号 |
EP19910402198 |
申请日期 |
1991.08.06 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF |
发明人 |
HIRTZ, JEAN-PIERRE;PRIBAT, DIDIER |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/20;H01L21/338;H01L23/482;H01L29/786;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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