半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽在所述半导体衬底的正表面上开口并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面。这里，可以增加杂质的激活率并且避免薄膜处理期间晶圆的损坏。

主权项

一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的所述正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽具有在所述半导体衬底的正表面的开口部分并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面，其中所述深槽具有在所述深槽的内壁上形成的氧化膜且该氧化膜用来覆盖在所述半导体衬底的正表面的所述深槽的开口部分，其中所述深槽和邻近深槽之间形成栅槽，所述栅槽在所述半导体衬底的所述正表面上开口，其中所述栅槽具有在所述栅槽的内壁上形成的氧化膜且该氧化膜用来覆盖在所述半导体衬底的正表面的所述栅槽的开口部分。