| 发明名称 |
DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR MUNI D'UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR BIPOLAIRE PLANAIRE HAUTE TENSION |
| 摘要 |
<P>Dispositif semiconducteur muni d'un composant semiconducteur bipolaire planaire haute tension comportant une région en forme d'îlot de type de conduction déterminé Cet îlot est limité en bas par une première jonction-pn à tension de claquage relativement élevée, et latéralement par une deuxième jonction-pn à tension de claquage relativement faible. La concentration de dopage et l'épaisseur de l'îlot sont tellement faibles que la région se trouve entièrement épuisée avant que survient le claquage. </P><P>Application : circuits intégrés monolithiques.</P>
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| 申请公布号 |
FR2415370(A1) |
申请公布日期 |
1979.08.17 |
| 申请号 |
FR19790001086 |
申请日期 |
1979.01.17 |
| 申请人 |
PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN NV |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/732;H01L29/74;H01L29/747;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;(IPC1-7):H01L27/04;H01L29/72 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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