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L'invention concerne les dispositifs semi-conducteurs. Dans une structure métal-isolant-semi-conducteur 10, la couche d'isolant est constituée par une couche monocristalline semi-isolante 14, qui forme une hétérojonction à réseaux pratiquement appariés, 16, avec la couche de semi-conducteur sous-jacente 18-3. La couche 14 peut être une couche de AlGaAs dopée avec une impureté de niveau profond, tandis que le semi-conducteur peut être en GaAs. Application aux transistors à effet de champ.
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