发明名称 CIRCUIT DETECTEUR A DEUX ETATS
摘要 <P>L'invention concerne les circuits logiques. </P><P>Un circuit détecteur à deux états comprend en particulier deux transistors à effet de champ T1, T4, qui sont branchés en couplage croisé. Le canal de l'un des transistors est plus court que celui de l'autre, de façon que le circuit prenne un premier état prédéterminé en l'absence de signal d'entrée, et prenne l'autre état en présence d'un signal d'entrée approprié. Application à la conversion entre les niveaux TTL et les niveaux MOS.</P>
申请公布号 FR2414827(A1) 申请公布日期 1979.08.10
申请号 FR19790000969 申请日期 1979.01.16
申请人 WESTERN ELECTRIC CY INC 发明人
分类号 G11C11/418;H03K3/356;(IPC1-7):H03K3/28;G11C7/00 主分类号 G11C11/418
代理机构 代理人
主权项
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