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<P>INTERRUPTEUR SEMI-CONDUCTEUR CARACTERISE EN CE QU'IL COMPORTE UNE PLURALITE D'ILOTS SW, P, P EN SILICIUM MONOCRISTALLIN DISPOSES DANS UN SUBSTRAT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN 52 PAR L'INTERMEDIAIRE D'UNE PELLICULE DIELECTRIQUE 51, ET EN CE QU'IL COMPREND DES ILOTS DE CIRCUIT INTERRUPTEUR CONSTRUITS INDEPENDAMMENT DES CIRCUITS INTERRUPTEURS AVEC THYRISTORS, AU MOINS UN ILOT DE CIRCUIT D'ATTAQUE CONSTRUIT D'UN CIRCUIT D'ATTAQUE, DES ILOTS DE CIRCUIT PROTECTEUR CONSTRUITS INDEPENDAMMENT DES CIRCUITS PROTECTEURS, UNE REGION POUR REDUIRE LA CAPACITE ELECTROSTATIQUE PARASITE QUI SE DEVELOPPE ENTRE LES ILOTS DE CIRCUIT INTERRUPTEUR DISPOSES, QUANT A EUX, DE MANIERE A ETRE ISOLES L'UN DE L'AUTRE PAR LADITE REGION, ET UN SYSTEME POUR RELIER ELECTRIQUEMENT LES CIRCUITS INTERRUPTEURS, LE CIRCUIT D'ATTAQUE ET LES CIRCUITS PROTECTEURS.</P><P>LA PRINCIPALE APPLICATION DE L'INVENTION CONCERNE UN INTERRUPTEUR SEMI-CONDUCTEUR A POINT CROISE UTILISE DANS UN CENTRAL TELEPHONIQUE.</P>
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