| 摘要 |
A.PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI CONDUCTEUR.B.PROCEDE CARACTERISE EN CE QUE, POUR RACCOURCIR LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DE CHARGE MINORITAIRES DANS LE CORPS SEMI-CONDUCTEUR, ON PRODUIT PAR IRRADIATION, APRES L'ETABLISSEMENT DES JONCTIONS PN, DES PERTURBATIONS DU RESEAU CRISTALLIN ET QUE L'OPERATION DE RECUIT SERVANT A LIER LA METALLISATION AVEC LA SURFACE DU SEMI-CONDUCTEUR SERT EN MEME TEMPS A RESORBER PARTIELLEMENT LES PERTURBATIONS DU RESEAU CRISTALLIN PRODUITES DANS LE CORPS SEMI-CONDUCTEUR PAR L'IRRADIATION.
|
