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<p>Un dispositivo semiconductor que comprende un cuerpo semiconductor que tiene al menos un primero y un segundo transistor vertical bipolar y complementario, comprendiendo cada transistor una región de emisor y región de emisor y región de colector, estando constituido dicho cuerpo por un sustrato cubierto por una primera capa epitaxial de un primer tipo de conductividad sobre la cual se extiende una segunda capa epitaxial del segundo tipo de conductividad opuesto al primero, estando formada la región de base del primer transistor y al menos una parte de una región de base del segundo transistor y una región externa del primer transistor por porciones coplanares de la segunda epitaxial y constituyendo una porción del sustrato al menos una parte de la región de colector de uno de los transistores, una barrera aislante que separa enteramente al menos a parte de dichas porciones de la segunda capa epitaxial.</p> |
