| 发明名称 |
LOW PARASITIC CAPACITANCE DIODE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4143384(A) |
申请公布日期 |
1979.03.06 |
| 申请号 |
US19770770130 |
申请日期 |
1977.02.18 |
| 申请人 |
RAYTHEON COMPANY |
发明人 |
KIM, CHUNG K.;WHEELER, ALFRED J. |
| 分类号 |
H01L21/329;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/48 |
主分类号 |
H01L21/329 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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