| 摘要 |
<P>L'invention concerne une diode à avalanche destinée à fonctionner en mode à temps de transit >> (mode IMPATT de la terminologie anglo-saxonne). Pour améliorer le rendement, on cherche à avoir une zone d'avalanche limitée à une région de faible épaisseur par rapport à l'épaisseur totale de la jonction semi-conductrice. </P><P>La diode selon l'invention comporte un substrat monocristallin In P dopé n**+ supportant une série de trois couches, déposées par épitaxie et dont les réseaux monocristallins se raccordent, à savoir une couche In P dopée n et deux couches </P><P>Ga0,47 In 0,53 As dopées n et p**+, ces deux dernières étant de très faible épaisseur. Une polarisation inverse est appliquée à la jonction p** + n et produit le phénomène d'avalanche dans la mince couche n d'alliage ternaire. </P><P>Application à la génération de très haute fréquence.</P>
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