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<P>Dispositif semi-conducteur, avec une capacité-MOS formée entre la zone diffusée dans une couche épitaxiale sur un substrat, et une couche conductrice sur une couche isolante au-dessus de ladite zone. </P><P>La capacité parasite entre la zone diffusée et le substrat de type de conduction opposé est diminuée grandement du fait que dans le corps semi-conducteur, la zone diffusée est entourée d'une autre zone de type de conduction opposé. Par l'intermédiaire d'une électrode, cette autre zone peut être branchée sur un potentiel constant </P><P>Application aux circuits intégrés monolithiques.</P>
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