| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION LITHOGRAPHIQUE DE MICROCIRCUITS PAR MASQUAGE A TRANSMISSION D'ELECTRONS EN UTILISANT UN MASQUE TRANSPARENT AUX ELECTRONS |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FORMATION DE STRUCTURES LITHOGRAPHIQUES A TRAITS FINS ET DE RESOLUTION ELEVEE.</P><P>ELLE SE RAPPORTE A UN PROCEDE SELON LEQUEL UNE SOURCE D'ELECTRONS PENETRANTS IRRADIE UN CACHE QUI TRANSMET CES ELECTRONS SUIVANT UN DESSIN, SI BIEN QUE CE DESSIN EST REPRODUIT DANS UN DISPOSITIF UTILISATEUR TEL QU'UNE PLAQUETTE REVETUE D'UNE RESERVE. LA SOURCE ELECTRONIQUE PEUT FORMER UN FAISCEAU D'ELECTRONS DE GRANDE SURFACE.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES CACHES ET DES MICROCIRCUITS ELECTRONIQUES.</P>
|
| 申请公布号 |
FR2425661(A1) |
申请公布日期 |
1979.12.07 |
| 申请号 |
FR19790011488 |
申请日期 |
1979.05.07 |
| 申请人 |
ROCKWELL INTERNATIONAL CORP |
发明人 |
|
| 分类号 |
H01L21/027;G03F7/20;H01J37/317;(IPC1-7):G03F1/02;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
