| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT |
| 摘要 |
PURPOSE:To form a memory cell of small area, by forming capacitance on the element insulating separation layer. |
| 申请公布号 |
JPS547890(A) |
申请公布日期 |
1979.01.20 |
| 申请号 |
JP19770073453 |
申请日期 |
1977.06.20 |
| 申请人 |
NIPPON ELECTRIC CO |
发明人 |
KAMOSHITA MOTOTAKA |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L21/339;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/108;H01L29/762;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
