| 摘要 |
<p><P>Module de cellules solaires à semi-conducteurs. </P><P>Il comporte une première cellule à l'arséniure de gallium 1 montée sur une plaque de refroidissement qui réfléchit les rayons de longueur d'onde supérieure à la bande d'absorption du GaAs (0,6 à 0,9 mu m) vers une cellule au silicium ou au germanium 2 sensible à une partie de ces infrarouges. Il présente donc les possibilités de fonctionnement à haute température et l'absence de saturation aux fortes luminosités qui caractérisent le GaAS, avec un rendement accru dû à la conversion d'une plus grande partie du spectre solaire en énergie électrique. </P><P>Application aux modules solaires associés à des concentrateurs à lentilles ou à miroirs.</P></p> |
