| 发明名称 |
Planar silicon-on-sapphire composite |
| 摘要 |
A semi-planar silicon-on-sapphire composite comprises a sapphire substrate, an epitaxial monocrystalline silicon mesa formed adjacent the substrate and an epitaxial deposition of monocrystalline aluminum oxide surrounding the mesa.
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| 申请公布号 |
US4133925(A) |
申请公布日期 |
1979.01.09 |
| 申请号 |
US19780867618 |
申请日期 |
1978.01.06 |
| 申请人 |
RCA CORP. |
发明人 |
SHAW, JOSEPH M.;ZAININGER, KARL H. |
| 分类号 |
H01L27/12;H01L21/205;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/762;H01L21/86;(IPC1-7):B01J17/00;H01L23/00 |
主分类号 |
H01L27/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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