发明名称 DISPOSITIF NUMERIQUE A TRANSFERT DE CHARGE
摘要 <P>L'invention concerne un dispositif numérique à transfert de charge. </P><P>Dans ce dispositif comportant, dans une couche isolante 2 au-dessus d'un substrat 1, deux ensembles d'électrodes E1, 11b, 12b, n1b, n2b; 11a, 12a, n1a, n2a, R1 raccordés à des bornes correspondantes d'application de tensions de cadence, la dernière électrode de transfert n2a, n2b située en amont de la région de sortie 4 est raccordée à un point A du circuit d'un transistor T2 qui subit lors du transfert de porteurs de charge dans le dispositif, une variation de potentiel correspondant aux variations de potentiel au-dessous des autres électrodes, l'électrode R1 étant disposée entre les dernières électrodes de transfert et la région 4 et étant placée à un potentiel intermédiaire URK . </P><P>Application notamment aux mémoires CCD à couplage direct de charge.</P>
申请公布号 FR2390802(A1) 申请公布日期 1978.12.08
申请号 FR19780012929 申请日期 1978.05.02
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 G11C27/04;G11C19/28;H01L29/768;H03H11/26;(IPC1-7):G11C19/28;H01L27/02 主分类号 G11C27/04
代理机构 代理人
主权项
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