发明名称 MANUFACTURE OF SCHOTTKY DIODE
摘要 PURPOSE:To control the characteristics of the Schottky diode by changing the impurity content in Al.
申请公布号 JPS53133377(A) 申请公布日期 1978.11.21
申请号 JP19770047940 申请日期 1977.04.27
申请人 HITACHI LTD 发明人 KIKUCHI AKIRA
分类号 H01L29/872;H01L29/47 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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