发明名称 半导体技术中产生间距细分的方法
摘要 在周期结构的图案层的条状部分的侧壁上形成隔离物。去除图案层,并且用另外的隔离层覆盖该隔离物,接着将其构造成第二侧壁隔离物。用互补层填充隔离物之间的间隙。将上表面平面化到较低的表面水平,保留第一隔离物、第二隔离物和互补层的剩余部分的周期顺序。以去除保留层的一层或两层提供更小间距的周期图案的方式修改横向尺寸。
申请公布号 CN100446216C 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200610100990.1 申请日期 2006.08.01
申请人 奇梦达股份公司 发明人 S·帕拉斯坎多拉;D·卡斯帕里
分类号 H01L21/762(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/762(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚;李丙林
主权项 1.半导体技术中制造间距细分的方法,包括:-提供具有图案层的衬底,其被构造成具有相同宽度且彼此间隔地且彼此平行延伸的分开的条状部分,从而形成周期图案;-在所述图案层上共形地施加厚度均匀的第一隔离层;-各向异性地蚀刻所述第一隔离层以在所述条状部分的侧壁上形成第一隔离物;-去除所述图案层,使所述第一隔离物被间隙隔开,调整所述条状部分的宽度、相邻条状部分之间的距离、以及所述第一隔离层的厚度,从而使得相邻第一隔离物之间的间隙交替地较大和较小,每个较大间隙的宽度为较小间隙的宽度加上一个第一隔离物的宽度的两倍;-共形地施加第二隔离层,以利用所述第二隔离层填充所述较小间隙;-各向异性地蚀刻第二隔离层以在所述第一隔离物的侧壁上形成第二隔离物,每个第二隔离物具有与所述较小间隙的宽度相同的宽度;-施加互补层以填充所述第二隔离物之间的剩余间隙;-通过去除部分所述第一隔离物、所述第二隔离物和所述互补层而形成平坦表面;以及-去除所述第二隔离物的剩余部分或者所述第一隔离物和所述互补层两者的剩余部分。
地址 德国慕尼黑