发明名称 Verfahren zur Herstellung eines n-p-n dotierten Halbleitereinkristalls
摘要 Alloys suitable for use in the manufacture of semi-conductor devices (see Group XXXVI) consist of from 95-99% by weight tin and 5-1% phosphorus, preferably 95% tin and 5% phosphorus; germanium containing 1% by weight of antimony; and germanium containing 1.4% by weight of gallium.
申请公布号 DE1268114(B) 申请公布日期 1968.05.16
申请号 DE19581268114 申请日期 1958.07.25
申请人 SONY KABUSHIKIKAISHA 发明人 TSUKAMOTO TETSUO
分类号 C30B15/04;H01L21/00 主分类号 C30B15/04
代理机构 代理人
主权项
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