| 摘要 |
<P>L'invention a pour objet un nouvel élément logique à faible consommation. Cet élément comporte un premier transistor PNP latéral, dont la base et l'émétteur sont reliés respectivement à des sources de polarisation fixe, la tension de base étant plus faible que celle de l'émetteur, le collecteur de ce transistor est solidaire de la base d'un transistor vertical NPN intégré sur le même substrat, l'ensemble formant un ensemble de quatre couches formant trois jonctions semiconductrices. Le transistor NPN comporte plusieurs émetteurs dont l'un est relié à la base d'un autre transistor NPN, dont le collecteur constitue la sortie du dispositif et l'émetteur est à la masse. </P><P>L'invention s'applique aux circuits logiques à grande densité d'intégration.</P>
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