| 摘要 |
<P>a. Procédé de fabrication d'un dispositif à transfert de charge. </P><P>b. Procédé caractérisé en ce qu'on réalise une première couche conductrice qui devient l'électrode de porte de chaque seconde partie de transfert de charges, on forme une seconde couche conductrice, isolée électriquement de la première couche conductrice et qui devient l'électrode de porte de chaque seconde partie de transfert des charges, et enfin on forme une partie qui réduit la largeur de la ligne de transfert de charges et crée un potentiel asymétrique, en dopant de façon sélective une impureté dans le substrat semi-conducteur, la première et la seconde couches conductrices constituant le masque de dopage.</P>
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