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<P>Une structure de portes à dispositif à transfert de charge perfectionnée. </P><P> On effectue trois dépôts de matériau électriquement conducteur tels que 35b, 40a et 45b pour former des électrodes, ce qui permet la fabrication de structures de portes CCD à deux phases occupant moins de superficie de pastille et fonctionnant à des vitesses plus rapides que les structures de portes à dispositif à transfert de charge classiques. </P><P>Application aux composants électroniques.</P>
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