发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT
摘要 <p>PURPOSE:A charging MISFET is connected to the series circuit in each row to read the information from a vertical ROM at a high speed, thereby obtaining a high-speed ROM with a mass storage.</p>
申请公布号 JPS5348425(A) 申请公布日期 1978.05.01
申请号 JP19760122787 申请日期 1976.10.15
申请人 HITACHI LTD 发明人 WAKIMOTO HARUMI;TANIMURA NOBUROU
分类号 G11C17/00;G11C17/12 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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