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<p>Perfeccionamientos en diodos luminiscentes, del tipo que comprende: una primera capa limitantes de GaAlAs, una capa activa de GaAs y una segunda capa limitante entre las capas limitantes, siendo las capas limitantes del tipo de conductividad opuesta y la capa activa del mismo tipo de conductividad que una de las capas limitantes para formar una unión p ¿ n entre la capa activa y una de las capas limitantes; y una superficie de fotoemisión en una de las capas limitantes, caracterizados porque se dota a la superficie de fotoemisión de rugosidad aleatoria, y porque se dota a cada diodo de una capa metálica de contacto sobre la superficie de la otra capa limitantes, para alimentar una polarización de voltaje a dicha unión p-n con el fin de formar un área fotoemisora alineada con la superficie de fotoemisión, formando la capa metálica de contacto un espejo óptico alineado con el área fotoemisora.</p> |
