| 发明名称 |
PROCEDIMIENTO PARA DESARROLLAR UNA CAPA SEMICONDUCTORA NATI-VA. |
| 摘要 |
Procedimiento para desarrollar una capa semiconductora nativa que comprende las fases de colocar un substrato semiconductor en ambiente de oxígeno dirigir un haz de electrones hacia el substrato.
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| 申请公布号 |
ES459808(A1) |
申请公布日期 |
1978.04.01 |
| 申请号 |
ES19080004598 |
申请日期 |
1977.06.15 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/316;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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