| 发明名称 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP PERFECTIONNE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>Transistor à effet de champ perfectionné et son procédé de fabrication. </P><P>La présente invention concerne un transistor à effet de champ dont l'isolement de champ 12 n'est pas encastré par rapport aux régions de source et de drain 15, 16 et dont l'électrode de porte 23 en silicium polycristallin est auto-alignée d'une part avec les régions source et drain et d'autre part avec l'isolement de champ 12. Une ligne d'interconnexion métallique 21 assure le contact électrique avec ladite électrode de porte. Application à la fabrication des circuits intégrés à semi-conducteurs et plus particulièrement aux tableaux de mémoire.</P>
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| 申请公布号 |
FR2362493(A1) |
申请公布日期 |
1978.03.17 |
| 申请号 |
FR19770020732 |
申请日期 |
1977.06.30 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
ROBERT H. DENNARD, DOMINIC P. SPAMPINATO;SPAMPINATO DOMINIC P |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L23/485;H01L23/522;H01L27/06;H01L27/108;H01L29/06;H01L29/423;(IPC1-7):01L29/78;01L21/265;01L27/04 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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