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发明名称 JUNCTION GATE TYPE GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING
摘要
申请公布号 US4075652(A) 申请公布日期 1978.02.21
申请号 US19770793969 申请日期 1977.05.05
申请人 MATSUSHITA ELECTRONICS CORPORATION 发明人 UMEBACHI, SHOTARO;KANO, GOTA;INOUE, MORIO
分类号 H01L21/306;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/80;H01L29/16;H01L29/06 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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