| 发明名称 |
DISPOSITIF A MONOCRISTAL ET PROCEDE POUR SA FABRICATION |
| 摘要 |
<P>a. Dispositif à monocristal. </P><P>b. Un faisceau 24 d'As4 tombe sur le substrat en faisant un angle de 25 degrés par rapport à la verticale, tandis que le faisceau 23 de Ga est normal On forme ainsi des couches cristallines 29a, 29b et 30 ayant des compositions différentes. </P><P>c. Electronique.</P> |
| 申请公布号 |
FR2358921(A1) |
申请公布日期 |
1978.02.17 |
| 申请号 |
FR19770022251 |
申请日期 |
1977.07.20 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL |
发明人 |
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| 分类号 |
C30B23/02;C30B23/04;H01L21/203 |
主分类号 |
C30B23/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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