非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体及其制造方法。非挥发性记忆体包括一基材以及一堆叠结构。堆叠结构设置于基材上且位于基材之一源极区及一汲极区之间。堆叠结构至少包括一穿隧氧化层、一电荷陷入层及一介电层。电荷陷入层设置于穿隧氧化层上,介电层设置于电荷陷入层上。介电层系为具有一介电常数之一材质,并且藉由进行一制程,由一第一固态相转变为一第二固态相。