发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:To prevent the electrostatic destruction of the MOS-type unit by providing semi-insulated protective film close to the gate electrode.
申请公布号 JPS52141579(A) 申请公布日期 1977.11.25
申请号 JP19760058613 申请日期 1976.05.20
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD 发明人 ISHIHARA TAKESHI
分类号 H01L29/78;H01L21/314;H01L27/02 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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