发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
PURPOSE:To prevent the electrostatic destruction of the MOS-type unit by providing semi-insulated protective film close to the gate electrode. |
申请公布号 |
JPS52141579(A) |
申请公布日期 |
1977.11.25 |
申请号 |
JP19760058613 |
申请日期 |
1976.05.20 |
申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
ISHIHARA TAKESHI |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/314;H01L27/02 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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