| 主权项 |
1﹒一种互补金氧半导体数位位准移动电路,系由一个单电压源和预定作为将具有第一峰値电压位准之输入信号反相之输入反相器,经由此反相器产生一个被反相信号,此发明包含:电压产生器电路:由前述的电压源驱动预定作为供应一个内部产生的电压源给前述的输入反相器装置;闩锁装置:由前述的电压源驱动,包含二个分支,每一个前述的分支包含一个电晶体装置,每一个电晶体装置包含一个共汲极和一个共闸极,其中一个前述的电晶体装置的共闸极连接至接收前述的反相信号,因此在另一个电晶体装置的共汲极产生一个具有相当于前述电压源特征之第二个峰値电压位准之位准移动电压。2﹒如申请专利范围第1项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中在每一个前述的分支中之电晶体装置包含了由一个N通道金氧半电晶体和一个p通道金氧半电晶体所组成的互补电晶体对。3﹒如申请专利范围第2项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中前述的另一个分支之电晶体装置的共闸极连接至前述的接收输入信号端。4﹒如申请专利范围第1项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中前述的第二个峰値电压大于前述的第一个峰値电压。5﹒如申请专利范围第1项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中前述的电压产生器电路装置包含:电容器装置:连接于前述的电压源和前述的电容器装置间的源极随耦器电晶体,前述的源极随耦器电晶体的闸极连接前至前述的接收输入端;方向性交换元件装置:连接于前述的源极随耦器电晶体和前述的电容器装置间的具方向性交换元件装置用以防止从前述的电容器装置至前述的源极随耦器装置之放电,因此前述的电容器装置补偿前述的源极随耦器电晶体的源极电压之变动,前述的电容器装置还连接至前述的输入反相器以便供给前述的内部产生电压源给前述的输入反相器。6﹒如申请专利范围第4项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中由前述的电压产生器电路装置所供给之前述的内部产生电压源电压小于前述的电压源电压。7﹒如申请专利范围第2项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中前述的闩锁电路之每一个前述的分支中还包含一个和分支的电晶体装置串连的第三个电晶体的闸极连接至另一个分支的互补电晶体对的共汲极,因此在每一改前述的输入信号之电压转态后从前述的电压源流向每一个前述的分支之电流被前述的第三个电晶体或该分支的互补电晶体对中的一个电晶体阻挡,因此降低直流功率消耗。8﹒如申请专利范围第7项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中还包含输出反相器装置,前述的另一个电晶体装置的共汲极连接至前述的输出反相器装置的输入端。9﹒如申请专利范围第5项之互补金氧半导体数位位准移动电路,其中前述的具方向性交换元件装置包含一个源极和闸极接在一起的交换电晶体,此电晶体的汲极连接至前述的电容器装置,前述的源极随耦器电晶体的基座和前述的交换电晶体的基座连接在一起。10﹒一种具有单一电压源的数位位准移动电路包含;输入反相器装置用以将具有第一个峰电压位准将微的输入信号反相,因此而产生反相信号;电压产生器装置经由前述的电压源驱动以产生不同于前述的单一电压源电压之内部产生电压源电压给前述的输入反相器装置,闩锁装置经由前述的电压源驱动,并且包含二个分支,每一个前述的分支包含一个互补电晶体对,每一个互补电晶体对包含共汲极和共闸极,其中一个前述的电晶体对电晶体的共汲极产生一相当于前述电压源电压位准元具有第二个峰値电压位准特征的位准移动电压。11﹒如申请专利范围第10项之具有单一电压源的数位位准移动电路,其中另一个前述的电晶体对共闸极连接至接收前述的输入信。12﹒如申请专利范围第10项之具有单一电压源的数位位准移动电路,其中前述的电压产生器电路装置包含:电容器装置:连接于前述的电压源和前述的电容器装置之间的源极随耦器电晶体,前述的源极随耦器电晶体的闸极连接于前述的接收输入端;方向性交换元件装置:连接于前述的源极随耦器和前述的电容器装置间用以防止从前述的电容器机构至前述的源极随耦器机构之放电,因此前述的电容器机构补偿前述的源极随耦器电晶体的源极电压之变动,前述的电容器机构还连接至前述的输入反相器以便供给前述的内部产生电压源给前述的输入反相器。13﹒如申请专利范围第10项之具有单一电压源的数位位准移动电路,其中前述的闩锁电路之每一个前述的分支中还包含一个和该分支的电晶体机构串连的第三个电晶体,在每一个分支中前述的第三个电晶体的闸极连接至另一个信号之电压转态后,从前述的电压源流向每一个前述的分支之电流被前述的第三个电晶体或该分支的互补电晶体对中的一个电晶体阻挡。14﹒如申请专利范围第13项之具有单一电压源的数位位准移动电路,包含输出反相器机构,前述的另一个互补互补电晶体的共汲极连接至前述的输出反相器机构的输入端。15﹒如申请专利范围第12项之具有单一电压源的数位位准移动电路,其中前述的具方向性交换元件机构包含一个交换电晶体,前述的交换电晶体的源极和闸极连接在一起、而汲极则连接至前述的电容器机构,前述的源极随耦器电晶体的基座和前述的交换电晶体基座连接在一起。图示简单说明图一为典型之数位后准移动电路之前例。图二为美国专利编号4,486,670所载之位准移动电路图。图三为另一位准移动电之前例。图四亦为另一位准移动电路之前例。图五为本发明之互补金氧半数位位准移动电路之实施例。图6a,6b,6c,6d和6e为图五之电路在工作时其相对位置之电压波形时序图。 |
