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发明名称
PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
PURPOSE:To reduce the parasitic capacity by electrode structure by forming an electrode on a first insulator film, then covering a second insulator film, making connecting electrodes thereon and ball-bonding lead wires.
申请公布号
JPS5298470(A)
申请公布日期
1977.08.18
申请号
JP19760015093
申请日期
1976.02.14
申请人
SONY CORP
发明人
TSUYUKI TADAHARU;KOBAYASHI MITSUHIKO;AKIYAMA KATSUHIKO
分类号
H01L21/60;H01L21/28
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
主权项
地址
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