| 发明名称 |
METHOD OF MAKING A FIELD EFFECT TRANSISTOR BY DIFFUSION,COATING WITH AN OXIDE AND PLACING A METAL LAYER ON THE OXIDE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3447238(A) |
申请公布日期 |
1969.06.03 |
| 申请号 |
USD3447238 |
申请日期 |
1965.08.09 |
| 申请人 |
RAYTHEON CO. |
发明人 |
MICHAEL S.R. HEYNES;PETER J. COPPEN |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/316;H01L23/29;H01L29/00;(IPC1-7):B01J17/00;H01L7/24 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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