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发明名称
SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
PURPOSE:To obtain an IC of reduced ineffective current and increased current amplification factor by forming an N<+> type bump under a P type injector region and approximating its top to the injection region, in a lateral transistor.
申请公布号
JPS5275990(A)
申请公布日期
1977.06.25
申请号
JP19750153050
申请日期
1975.12.20
申请人
FUJITSU LTD
发明人
INOUE OSAMU
分类号
H01L27/082;H01L21/331;H01L21/8226;H01L27/02;H01L29/73
主分类号
H01L27/082
代理机构
代理人
主权项
地址
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