发明名称 MEMORY CIRCUIT
摘要 <p>PURPOSE:To make indestruction-reading possible & change into low cost power by forming logic inpu tpart from one PNP transistor & three NPN transistors & by operating memory cell & reading-circuit with the control of 3 inputs.</p>
申请公布号 JPS5272538(A) 申请公布日期 1977.06.17
申请号 JP19750148386 申请日期 1975.12.15
申请人 HITACHI LTD 发明人 OOHINATA ICHIROU
分类号 G11C11/41;G11C11/411 主分类号 G11C11/41
代理机构 代理人
主权项
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