| 发明名称 |
FORMATION OF THROUGHHHOLE ONTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5267273(A) |
申请公布日期 |
1977.06.03 |
| 申请号 |
JP19750143521 |
申请日期 |
1975.12.01 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
FUNAYAMA TOORU;INAGAKI TAKESHI |
| 分类号 |
H01L21/3213;H01L21/18;H01L21/302;H01L21/306;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L21/3213 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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