发明名称 CRYSTAL GROWTH METHOD
摘要 <p>PURPOSE:To contact the saturated solution of a compound semiconductor with seed crystal then anneal the same from the seed crystal side, thereby continuously and largely growing nearly perfect thin-plate-form crystal.</p>
申请公布号 JPS5246761(A) 申请公布日期 1977.04.13
申请号 JP19750122665 申请日期 1975.10.09
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD 发明人 ARIGA KOUZOU
分类号 C30B11/00;C30B29/40;H01L21/208;H01L33/30 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
主权项
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