发明名称 一种高反射率发光二极体晶片之制造方法
摘要 本发明系一种高反射率发光二极体晶片之制造方法,其先制作一发光二极体晶片,再将发光二极体晶片覆晶于覆晶基板上;其中发光二极体晶片系堆叠基板、N型氮化镓半导体层、P型氮化镓半导体层、发光层、第一电极、第二电极及一反射金属导电层;该反射金属导电层由透明导电层、银及金所堆叠成,其将透明导电层及银先置于一氧化炉中,并进行退火使透明导电层变成透明的金属氧化物,而让光能穿透到银中反射,然后再于银上镀一层金。藉此,反射金属导电层只有透明导电层及银需放入氧化炉中,可避免金渗入于银中,因此可让银保持有良好的反射率。
申请公布号 TW200814381 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW096145806 申请日期 2007.11.30
申请人 长庚大学 发明人 张连璧;薛清全;江国领
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 桃园县龟山乡文化一路259号