用于形成半导体元件之微细图案之方法

摘要

一种用于形成半导体元件之微细图案之方法包括形成第一光阻剂图案于含有基底层之半导体基板上。交联层系形成于第一光阻剂图案之侧壁上。移除第一光阻剂图案以形成含有矽聚合物之微细图案。形成与微细图案结合之第二光阻剂图案。使用微细图案和第二光阻剂图案作为蚀刻遮罩来蚀刻基底层。结果，微细图案具有小于最小间距之尺寸。